Преподаватели, сотрудники и студенты кафедры Электроники ИНТЭЛ НИЯУ МИФИ и Центра экстремальной прикладной электроники (ЦЭПЭ) НИЯУ МИФИ приняли участие в организации и научной программе Предконференции №1 «Доверенная и экстремальная электроника» Российского форума «Микроэлектроника 2026». Мероприятие прошло 7–10 сентября в Москве на площадке Консорциума НИЯУ МИФИ — АО «ЭНПО СПЭЛС» и объединило представителей университетов, научных организаций и промышленных предприятий.
Координаторами Предконференции выступили доктор технических наук, профессор, заместитель директора ЦЭПЭ НИЯУ МИФИ Александр Юрьевич Никифоров и кандидат технических наук, доцент кафедры Электроники, заместитель директора АИЦ ИБСЗИ НИЯУ МИФИ Леонид Николаевич Кессаринский. В работе также участвовал доктор технических наук, профессор, директор ЦЭПЭ НИЯУ МИФИ и руководитель Консорциума Виталий Арсеньевич Телец.
Преподаватели кафедры возглавили работу тематических блоков. Георгий Викторович Чуков модерировал обсуждение экстремальной электроники, Анастасия Владиславовна Уланова — технологического и контрольно-измерительного оборудования, Николай Александрович Усачёв — разработки и производства электронной компонентной базы. Леонид Николаевич Кессаринский провёл блок «Доверенная электроника» и выступил одним из модераторов обсуждения стандартизации в этой области.
Программа включала более 50 докладов. Участники рассматривали, как обеспечить работоспособность электроники при радиационных воздействиях и электрических перегрузках, подтвердить качество и безопасность компонентов, развивать отечественное оборудование и средства проектирования.
Георгий Викторович Чуков представил доклад в котором обозначил ключевые направления развития методической базы радиационных испытаний электронной компонентной базы. Николай Александрович Усачёв в своем докладе обобщил практический опыт создания отечественных средств проектирования и библиотек базовых элементов. Сотрудник ЦЭПЭ НИЯУ МИФИ Алексей Метревели представил методы диагностики радиационной деградации МОП-транзисторов: при таких измерениях важно отделить характеристики самого прибора от влияния паразитных утечек. Эти темы продолжили традиционные для кафедры и ЦЭПЭ НИЯУ МИФИ исследования надёжности и стойкости электронной компонентной базы.
В программу вошли следующие доклады представителей Консорциума НИЯУ МИФИ – АО «ЭНПО СПЭЛС»:
- Г. В. Чуков — «Рациональный методический подход к радиационным испытаниям ЭКБ: состояние дел и ближайшие задачи».
- А. А. Метревели — «Компактные методы C–V-диагностики радиационной деградации МОП-транзисторов».
- Ю. М. Московская — «Закономерности распределения результатов контроля радиационной стойкости производственных партий пластин».
- А. Н. Шемонаев — «Обеспечение достоверности и повторяемости определения показателей стойкости изделий ЭКБ к воздействию импульсов напряжения по критерию выявления скрытых дефектов в полупроводниковых структурах и процессов деградации».
- М. С. Бердо — «Методические особенности контроля одиночных сбоев при воздействии ТЗЧ в твёрдотельных накопителях с включённой системой коррекции».
- Л. А. Колегов — «Конструктивная адаптация оптопар при радиационных испытаниях».
- Е. Д. Шаповалова — «Особенности адаптации модульных изделий для проведения исследований стойкости к воздействию тяжёлых заряженных частиц».
- В. А. Кузнецова — «Актуальные вопросы контроля привнесённых загрязнений на поверхность полупроводниковых пластин при испытаниях разработанных в рамках ОКР установок».
- С. А. Златин — «Разработка программно-управляемого источника микросекундных высокоамперных импульсов для испытаний полупроводниковых приборов».
- М. С. Шевлягин — «Снижение паразитной ёмкости коммутационной системы слаботочных сигналов для автоматизации функциональных испытаний».
- Д. А. Михайлов — «Аппаратно-программный комплекс для измерения времени обратного восстановления и заряда восстановления полупроводниковых диодов».
- В. Н. Котов — «Подходы к созданию радиочастотных библиотек базовых элементов для КМОП технологических процессов».
- М. А. Шульгин — «Разработка поведенческой модели лазер-тиристора с анодным управлением».
- Т. С. Соколов — «Разработка сигма-дельта модулятора с использованием КМОП технологических процессов 250 и 180 нм».
- А. А. Волкова — «Разработка кварцевого генератора с быстрым запуском по технологии КМОП 250 нм».
- М. М. Таймасханов — «Методологические рекомендации к калибровке сверхпроводникового гелиевого уровнемера».
- Н. А. Усачёв — «Инструментарий для успешной разработки КМОП приёмопередатчиков: технологические процессы и библиотеки, САПР, маршруты, схемно-топологические решения. Подведение итогов заседания».
- Л. Н. Кессаринский — «Подход к формированию требований, обеспечению и подтверждению доверенности (качества и безопасности) электроники (расширенный обзорный доклад)».
- И. Б. Леухин — «Проблемные вопросы построения систем тестирования малых космических аппаратов на примере испытаний бортового компьютера».
- Д. А. Козин — «Повышение стабильности физически неклонируемых функций на основе ПЛИС Xilinx».
- Д. С. Турбин — «Оптимизация алгоритма перевода чисел в модульной арифметике с использованием ПЛИС».
- Л. Н. Кессаринский — «Общее представление базовых идей и проектов стандартов» — о проектах стандартов на доверенные интегральные микросхемы.
Практическую часть программы дополнил интерактивный мастер-класс Глеба Олеговича Чернышёва «Разработка GaAs pHEMT СВЧ усилителя в САПР Keysight ADS». Участники также познакомились с новыми изданиями по технологии КМОП-интегральных схем и устройствам приёма и обработки сигналов.
Участие преподавателей, исследователей, инженеров и студентов в одной программе показывает, как тесно связаны преподавание электроники, научная работа и задачи промышленности. Для студентов кафедры представленные темы — конкретные примеры исследований и разработок, в которых востребованы знания схемотехники, микроэлектроники, измерений и информационной безопасности.
Обсуждение доверенной и экстремальной электроники продолжится на основном форуме «Микроэлектроника 2026», который пройдёт с 27 сентября по 3 октября на федеральной территории «Сириус».
